报告题目：拓扑自旋结构的微磁学研究进展
报 告 人：赵国平
报告时间：2026年3月17日10:00
报告地点：2B408
报告人简介：赵国平，四川师范大学二级教授，IEEE 高级会员，国务院政府津贴专家，四川省学术技术带头人，省突出贡献专家，成都市首届蓉城英才创新领军人才，中国科学院大学兼职博士生导师。本科毕业于中国科学技术大学近代物理系，2003年获新加坡国立大学物理学博士。主要研究领域：磁学和自旋电子学、纳米磁性材料。赵国平在Phys. Rev. Lett, Adv. Mater, Phys. Rev. B和Appl. Phys. Lett等期刊发表SCI论文160余篇，被引用4000余次，获四川省自然科学二等奖和科技进步三等奖各1次（均排名第一）。被Nature electronics、Nature Communications和Phys. Rev. Lett等30多个期刊聘为审稿专家，担任多个SCI期刊编辑、客座编辑和客座主编。
内容简介：基于斯格明子等拓扑自旋结构的信息技术可以通过电流来完成读和写的操作，在电子信息和自旋之间架起了一座桥梁，具有速度快、非易失性、低能耗等一系列优势，在磁性存储、逻辑运算、量子计算机甚至国防军事等方面都有重要的应用前景。微磁学是研究拓扑自旋结构的主要理论方法，它可以分析拓扑自旋结构的产生和操控，预测新的拓扑磁结构，并设计相关的器件。本报告基于课题组近年的研究成果，对微磁学的主要研究手段进行了分类，同时对其在拓扑自旋结构研究方面取得的主要进展进行了综述，涉及的材料包括铁磁、反铁磁、亚铁磁、合成反铁磁和阻挫材料，对相关的重点难点进行了剖析并对未来的发展方向进行了展望。